|
САНТА-КЛАРА, шт. Калифорния, 12 июня 2006 года. –
Сегодня корпорация Intel объявила, что ее инженеры
разработали новую технологию, которая поможет корпорации закрепить лидерство в
области производства высокопроизводительных полупроводниковых компонентов с низким
энергопотреблением.
Проведенные в Intel
исследования новых типов транзисторов позволили сделать еще один шаг к началу
массового производства транзисторов с трехмерным затвором. Эти транзисторы
отличаются значительно улучшенными показателями производительности и
энергопотребления, и инженеры Intel рассчитывают, что
они станут базовыми элементами будущих микропроцессоров, производимых с
использованием 45-нанометровой и более совершенных производственных технологий.
Базовыми элементами микросхем долгое время были
планарные транзисторы, которые появились в конце 1950-х годов. Однако по мере
развития нанотехнологий, позволяющих создавать
транзисторы с элементами, толщина которых составляет всего лишь несколько
атомов, то, что раньше воспринималось как «плоское», теперь разрабатывается в
трех измерениях ради дальнейшего улучшения производительности и
энергопотребления микросхем. Регулярно запуская в массовое производство все
более совершенные процессоры, корпорация Intel
разработала методику объединения новых трехмерных транзисторов с другими
полупроводниковыми технологиями, которая позволит сделать вычислительные
системы гораздо более производительными и экономичными.
Вполне возможно, что транзисторы с трехмерным
затвором послужат основой будущих высокопроизводительных экономичных технологий
Intel, потому что они отличаются значительно меньшей
утечкой и потребляют гораздо меньше энергии, чем нынешние планарные транзисторы.
В сравнении с современными транзисторами, производимыми по 65-нанометровой
технологии, интегрированные транзисторы с трехмерным затвором могут обеспечить
45-процентное увеличение тока возбуждения (от которого зависит быстрота
переключения транзистора) или 50-кратное уменьшение запирающего тока, а также
35-процентное уменьшение тока переключения транзистора. Повышенная
производительность и сниженное энергопотребление новых транзисторов позволят
обеспечить новое качество работы для пользователей ПК и других устройств,
созданных на базе платформ Intel.
«Эти результаты подтверждают эффективность подхода Intel к разработке инновационных технологий, — заявил Майк Мэйберри (Mike Mayberry), вице-президент корпорации Intel
и руководитель подразделения, занимающегося исследованиями компонентов. —
Успешно объединив три ключевых элемента — трехмерную геометрию затвора
транзистора, диэлектрики «high-k» и технологию
напряженного кремния, — мы в очередной раз разработали транзистор с рекордными
характеристиками. Это вселяет в нас уверенность в то, что закон Мура не утратит
силу и в следующем десятилетии».
Технический отчет об этом исследовании был
представлен инженерами Intel 13 июня на симпозиуме по
технологии VLSI (2006 Symposium on
VLSI Technology) в Гонолулу.
|
