На минувшей неделе в Москве
состоялась презентация новой 45-нанометровой технология производства
микропроцессоров, которая ознаменовала новый виток в развитии микроэлектроники.
Сочетание металлических
затворов и диэлектриков из материала high-k позволяет создавать
транзисторы с очень низким током утечки и рекордной скоростью переключения.
Корпорация Intel уже изготовила первые прототипы процессоров, содержащие
новые транзисторы очень малых размеров и созданные на основе 45-нанометровой технологии
производства.
Принципиальное отличие
новой технологии заключается в том, что при создании транзисторов на основе
45-нанометрового производственного процесса используются два совершенно новых
материала: диэлектрик high-k на основе гафния[1]
и новое сочетание металлических материалов[2].
«Начало применения таких новых материалов как high-k
и металл знаменует самое большое изменение в технологии создания транзисторов с
конца 60-х годов прошлого века, когда появились МОП-транзисторы с затворами из
поликристаллического кремния», – считает Гордон Мур (Gordon Moore), один из со-основателей корпорации Intel и автор одноименного закона[3], по сей день определяющего развитие
полупроводниковой индустрии.
Сочетание диэлектрика
затвора на основе материала high-k и металлических
электродов, используемых для 45-нанометровой производственной технологии Intel,
обеспечивает увеличение управляющего тока более чем на 20% и,
соответственно, повышение производительности транзисторов. В то же время более чем
в 5 раз сокращается утечка тока от истока к стоку, т. е. снижается
энергопотребление транзистора. Кроме того, 45-нанометровая производственная
технология Intel позволяет
практически в два раза повысить плотность размещения транзисторов на кристалле
по сравнению с технологией предыдущего поколения. В результате на одном
кристалле можно будет разместить больше транзисторов или уменьшить размеры
процессоров.
Чтобы оценить размеры новых транзисторов,
можно провести такое сравнение: на поверхности, равной площади красной кровяной
клетки человека, можно разместить 400 транзисторов Intel, изготовленных по 45-нанометровой технологии.
Новые транзисторы Intel имеют в 5,5 раз меньший размер и занимают в 30 раз меньшую площадь, чем
транзисторы десятилетней давности, которые изготовлялись с применением самой
современной на то время 250-нанометровой технологии производства.
В настоящее время в
стадии разработки находятся более 15 моделей процессоров на основе
45-нанометровой технологии, которые предназначены для сегментов настольных ПК,
мобильных систем, рабочих станций и корпоративных серверов. В двухъядерных
процессорах 45-нанометрового семейства Penryn будет содержаться более 400 миллионов
транзисторов, а в четырехъядерных – более 800 миллионов. Новые улучшенные
характеристики на уровне микроархитектуры обеспечат повышенную
производительность и расширенные функции управления энергопотреблением, при
этом увеличится также внутренняя тактовая частота процессорных ядер, а объем
кэш-памяти сможет составлять до 12 МБ. В семействе процессоров с кодовым
названием Penryn будет
реализовано около 50 новых инструкций Intel SSE4, которые позволят
расширить возможности, а также повысить производительность при работе с
мультимедийными приложениями и выполнении задач с высокой интенсивностью
вычислений.
Достижения корпорации
Intel в области архитектуры и полупроводниковых технологий основаны на быстрых
темпах внедрения инноваций, позволяющих обеспечить прирост производительности
процессоров и сокращение их энергопотребления в следующем десятилетии и более
отдаленном будущем. В корпорации Intel такую форму развития называют моделью
«тик-так». Каждый «тик» отражает новый этап развития полупроводниковой
производственной технологии и усовершенствования в области микроархитектуры.
Каждый «так» соответствует созданию совершенно новой микроархитектуры. Цикл
повторяется приблизительно каждые два года.
Семейство процессоров Penryn на базе 45-нанометровой производственной
технологии Intel с использованием металлических затворов Hi-k представляет
собой последний «тик» и включает многочисленные инновации микоархитектуры Intel
Core. В 2008 году корпорация Intel собирается представить совершенно новую
микроархитектуру под кодовым названием «Nehalem», которая станет новым этапом
«так». После выпуска микроархитектуры Nehalem появятся процессоры на базе
будущей 32-нанометровой производственной технологии Intel. Этот следующий «тик»
в развитии полупроводниковых технологий и микроархитектур.
[1] Гафний –редкоземельный элемент, имеющий 72 номер в периодической системе
элементов, обладающий серо-серебристым оттенком цвета, очень эластичный, устойчивый
к коррозии, по химическим свойствам похожий на цирконий.
[2] Названия конкретных металлов, которые использует Intel, держатся в секрете, однако известно, что
для изготовления электродов затвора транзистора применяется комбинация
различных металлических материалов.
[3] В соответствии с законом Мура количество транзисторов на
кристалле удваивается каждые два года.
|